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晶界工程處理對(duì)Incoloy825合金耐晶間腐蝕性能的影響

2019-11-21 01:20:12 hualin

雖然鎳基Incoloy825合金的良好力學(xué)性能和耐腐蝕性能使其在機(jī)械?;さ裙I(yè)設(shè)備中被廣泛采用,但在其服役過程中與晶界有關(guān)的晶間腐蝕。晶間應(yīng)力腐蝕開裂一直是鎳基合金重要的失效形式。晶界兩側(cè)晶粒重合位置點(diǎn)陣(coincidence site lat-tice,CSL)密度的倒數(shù)Σ不超過29的晶界被認(rèn)為是低ΣCSL晶界,其結(jié)構(gòu)有序度高,能量較低,具有優(yōu)于隨機(jī)晶界的性能,如元素在這些晶界偏聚傾向性小、抗腐蝕、抗開裂等性能。


為了優(yōu)化和提高材料的性能,WATANABE首先提出了“晶界設(shè)計(jì)與控制”的概念,這一概念逐級(jí)發(fā)展成為晶界工程(grain boundary engineering,GBE)研究領(lǐng)域,即通過合適的形變和熱處理工藝來提高特殊結(jié)構(gòu)晶界的比例并控制晶界網(wǎng)絡(luò)分布,從而顯著改善與晶界有關(guān)的多種性能。晶界工程已經(jīng)成功地應(yīng)用于多種具有低層錯(cuò)能的面心立方結(jié)構(gòu)金屬材料,如奧氏體不銹鋼、鉛合金、鎳基合金、銅合金等,提高了這些材料與晶界相關(guān)的多種性能。然而,目前多數(shù)研究工作都停留在實(shí)驗(yàn)室晶界工程處理以及性能驗(yàn)證。要想將晶界工程應(yīng)用于生產(chǎn)中,必須在工廠生產(chǎn)用設(shè)備上開展晶界工程處理,并進(jìn)行性能檢驗(yàn)。


本工作利用工廠生產(chǎn)用設(shè)備對(duì)Incoloy825合金管材進(jìn)行晶界工程處理,獲得高比例的低ΣCSL晶界,通過晶間腐蝕試驗(yàn)研究晶界工程處理對(duì)Incoloy825合金管材耐晶界腐蝕性能的作用。


試驗(yàn)


1 試樣制備


以固溶態(tài)Incoloy825合金管作為原始材料,其化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)):23.5%Cr,23.00%Fe,0.01%C,0.20%Al,0.90%Ti,0.45%Si,3.00%Mo,0.80%Mn,2.25%Cu,0.015%S,0.025%P,余量為Ni、運(yùn)用工廠生產(chǎn)用YLB-B-5/20-15型冷拔機(jī)對(duì)Incoloy825合金管材冷拔5%后,在1050℃保溫15min并快速冷卻,標(biāo)記為GBE試樣。將原始Incoloy825合金管在1050℃保溫15min并快速冷卻,標(biāo)記為NonGBE試樣。然后對(duì)GBE和NonGBE試樣進(jìn)行750℃保溫15h的敏化處理(Sen)并空冷,分別標(biāo)記為GBE-Sen和NonGBE-Sen試樣。


2 性能表征及腐蝕試驗(yàn)

用光學(xué)顯微鏡(OM)觀察各試樣的顯微組織。利用配備在CamScan Apollo300熱場(chǎng)發(fā)射槍掃描電子顯微鏡(SEM)中的HKL-EBSD附件對(duì)試樣表面微區(qū)逐點(diǎn)逐行進(jìn)行掃描,掃描步長為3μm,掃描區(qū)域?yàn)?050μm×660μm;測(cè)試結(jié)果采用HKL-Channel5軟件分析處理,測(cè)量系統(tǒng)采用Palumbo-Aust標(biāo)準(zhǔn)確定晶界類型。兩側(cè)晶粒不具有低ΣCSL取向關(guān)系的晶界稱為隨機(jī)晶界(Random boundary)。


將上述制備好的試樣用線切割方法沿管子軸向平均剖開成4份,截取30mm高,表面積約9cm2的腐蝕試樣進(jìn)行晶間腐蝕試驗(yàn)。腐蝕試樣經(jīng)機(jī)械研磨。拋光,再經(jīng)電解拋光獲得干凈的表面,然后清洗。干燥。測(cè)量計(jì)算其表面積及稱量(精確到0.1mg)。采用ASTM A262C法進(jìn)行晶間腐蝕試驗(yàn),根據(jù)標(biāo)準(zhǔn),晶間腐蝕溶液為(65±0.2)%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))硝酸溶液。將各腐蝕試樣放入1000mL配有冷凝裝置的寬口錐形瓶中,并用750mL的硝酸溶液浸泡,腐蝕試樣之間彼此不接觸。將錐形瓶放在加熱板上加熱,至硝酸溶液沸騰,并在測(cè)試期間保持酸液沸騰。每隔96h取出試樣,先用水沖洗,再在流動(dòng)水下用橡膠刷進(jìn)行擦洗去掉試樣表面黏附的腐蝕產(chǎn)物,然后在酒精中清洗,再用電吹風(fēng)將試樣烘干,最后對(duì)各試樣再次稱量,并用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡觀察腐蝕后試樣的表面形貌。這樣的腐蝕過程共進(jìn)行7個(gè)周期,每個(gè)周期完畢后更換新的腐蝕溶液,7個(gè)周期完畢獲得每個(gè)試樣的腐蝕失重曲線。


結(jié)果與討論

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圖1 GBE和NonGBE試樣的顯微組織和晶界形貌


從圖1(a,b)中可看出:顯微組織中含有大量的退火孿晶,形貌為平直的線段,退火孿晶是低層錯(cuò)能面心立方材料中很常見的一種顯微組織。退火孿晶與母體晶粒之間保持<111>60°的取向關(guān)系,即Σ3的CSL關(guān)系。


從圖1(c,d)中可以看出:GBE試樣的Σ3,Σ9及Σ27等低ΣCSL晶界相互連接構(gòu)成大量的Σ3-Σ3-Σ9和Σ3-Σ9-Σ27等Σ3n類型的三叉晶界(n=1,2,3);而NonGBE試樣中的Σ3晶界幾乎都以孤立的直線或直線對(duì)形態(tài)存在于顯微組織中。


利用HKL-Channel5軟件對(duì)試樣的晶界特征分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)(圖略)。結(jié)果表明:GBE試樣的低ΣCSL晶界比例為76.1%,其中絕大部分都是Σ3孿晶界,比例為65.2%;而NonGBE試樣的低ΣCSL晶界比例約為48.8%,顯著低于GBE試樣的。通過HKL-Channel5軟件的等效圓直徑測(cè)得GBE和NonGBE試樣的晶粒尺寸分別為16.5 μm和16.7μm,統(tǒng)計(jì)晶粒尺寸時(shí)將孿晶計(jì)算在內(nèi)。敏化處理后的GBE-Sen和NonGBE-Sen試樣的晶界特征和晶粒尺寸分布較GBE和NonGBE試樣的幾乎沒有區(qū)別。

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圖2 各試樣經(jīng)不同時(shí)間晶間腐蝕后的SEM形貌


從圖2中可以看到:經(jīng)過96h腐蝕后,GBE、NonGBE、GBE-Sen和NonGBE-Sen試樣表面都沒有明顯的腐蝕跡象;而經(jīng)過288h腐蝕后,NonGBE-Sen試樣表面出現(xiàn)晶粒掉落,未經(jīng)敏化處理的GBE、NonGBE試樣表面晶粒變化不大,只是NonGBE試樣表面的晶界腐蝕相對(duì)較深;當(dāng)腐蝕時(shí)間延長至384h時(shí),NonGBE-Sen試樣表面晶粒脫落明顯,而GBE-Sen試樣表面還是十分完整,表現(xiàn)出較好的耐晶間腐蝕性能;當(dāng)腐蝕時(shí)間延長至480h及720h時(shí),NonGBE-Sen試樣表面層晶粒繼續(xù)不斷脫落,且已經(jīng)發(fā)展到材料內(nèi)部,而GBE-Sen試樣表面只有很少的晶粒脫落,但晶界的腐蝕痕跡加深,說明經(jīng)過GBE處理的Incoloy825合金敏化試樣具有更好的耐晶間腐蝕性能。


從圖3中可以看到:在腐蝕過程中,GBE、Non-GBE、GBE-Sen和NonGBE-Sen試樣單位面積的腐蝕質(zhì)量損失從大到小依次為NonGBE-Sen>GBE-Sen>NonGBE>GBE、對(duì)于敏化處理的試樣,經(jīng)GBE處理的敏化試樣GBE-Sen的腐蝕質(zhì)量損失明顯低于未經(jīng)過GBE處理的敏化試樣NonGBE-Sen的;對(duì)于未敏化處理的試樣,經(jīng)GBE處理的GBE試樣的腐蝕質(zhì)量損失和未經(jīng)過GBE處理的NonGBE試樣的區(qū)別不是很明顯,但由于Incoloy825合金的含碳量很低,前者略低于后者。

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圖3 各試樣的腐蝕失重曲線


以上試驗(yàn)結(jié)果表明,經(jīng)過GBE 處理后Incoloy825合金的抗晶間腐蝕能力明顯增強(qiáng)。經(jīng)過敏化處理后,不同類型晶界的貧鉻區(qū)深度和寬度不同,因此不同類型晶界的抗晶間腐蝕性能有很大的區(qū)別。低ΣCSL晶界,特別是Σ3晶界結(jié)構(gòu)十分有序。界面能低,敏化處理后晶界上不易析出碳化物,晶界附近貧鉻現(xiàn)象不如隨機(jī)晶界處嚴(yán)重,所以不容易遭受腐蝕。

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圖4 晶間腐蝕192h后GBE-Sen試樣中不同類型晶界的腐蝕情況


圖4為晶間腐蝕192h后GBE-Sen試樣中不同類型晶界的腐蝕情況。結(jié)果表明,在相同的腐蝕環(huán)境中,低ΣCSL晶界的腐蝕程度較隨機(jī)晶界的腐蝕程度淺。比如,Σ3晶界的腐蝕痕跡遠(yuǎn)小于其他類型晶界的,Σ9晶界雖有一定程度的腐蝕但腐蝕痕跡也比隨機(jī)晶界的輕。GBE試樣中低ΣCSL晶界比例高,如果晶間腐蝕沿著一般大角度晶界擴(kuò)展,腐蝕擴(kuò)展路徑不可避免地會(huì)遇到Σ3-Σ3-Σ9和Σ3-Σ9-Σ27等類型的三叉晶界,如果Σ9晶界被腐蝕,另外兩條相連的Σ3晶界就能有效抵擋腐蝕的進(jìn)一步擴(kuò)展。對(duì)比分析圖1(c)和(d)中的不同類型晶界分布可知,GBE試樣和NonGBE-Sen試樣中Σ3n晶界相互連接形成的三叉晶界在數(shù)量上有明顯差別。因此,可以認(rèn)為,GBE處理后形成的大量相互連接的Σ3-Σ3-Σ9和Σ3-Σ9-Σ27等Σ3n類型三叉晶界是提高Incoloy825合金耐晶間腐蝕性能的主要原因。


結(jié)論

(1)通過生產(chǎn)用冷拔機(jī)對(duì)鎳基Incoloy825合金管材進(jìn)行小變形量冷加工再進(jìn)行退火,可以將其中的低ΣCSL晶界比例提高到75%以上。

(2)晶界工程處理能夠顯著提高Incoloy825合金的耐晶間腐蝕性能。

(3)GBE處理后Incoloy825合金中形成的大量相互連接的Σ3-Σ3-Σ9和Σ3-Σ9-Σ27等Σ3n類型三叉晶界是其耐晶間腐蝕性能提高的主要原因。